Établissement
INP - ENSEEIHT
Description
Cette formation comporte 3 parties distinctes : 1- découverte des transistors de puissance silicium et grand-gap (GaN et SiC). 2- Analyse de la commutation et maîtrise des perturbations générées (surtensions, surcourants, cross-conduction, courants de mode commun), 3- Mise en œuvre en pratique des isolations et réglage des paramètres.

