COMPOSANTS ET ARCHITECTURES

Toutes les ressources pédagogiques sont mises à disposition des étudiants sur la plateforme Moodle. La partie théorique est découpée en 3 parties et est entièrement scénarisée.

Si besoin ou intérêt, divers liens vous permettent de vous mettre à niveau:

- en cristallographie pour mieux comprendre le vocabulaire employé et les calculs effectués,

- en atomistique notamment pour comprendre le vocabulaire employé et les diagrammes réalisés.

Le module est composé de:

- 3 séances de cours magistral,

- 1 TD non encadré pendant lequel il est suggéré de faire des exercices dont les énoncés et les corrections sont sur Moodle,

- 3 séances de cours magistral,

- 1 séance de TD encadré,

- 1 examen écrit qui fait le bilan des connaissances et savoir-faire acquis. 

A l'issue de ce module, vous serez prêts pour aborder le fonctionnement de tous les composants électroniques : pour l'essentiel d'entre eux basés sur une ou plusieurs jonctions PN ou sur une structure de type Métal/Oxyde/Semiconducteur (MOS).

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L’enseignement combine séances théoriques, ateliers pratiques et travaux en équipe, favorisant l’apprentissage par projet, le prototypage et la simulation de situations professionnelles réelles. Les élèves documentent le développement de leur projet à travers un site de reporting (Notion ou outil équivalent), permettant de suivre l’avancement, d’analyser les choix réalisés et de capitaliser sur les enseignements tirés. Ce parcours s’appuie sur une collaboration avec des partenaires académiques (Toulouse School of Management, Toulouse Business School, Toulouse Tech Tansfer) et des partenaires de l’éco-système entrepreneurial toulousain (la Mêlée Numérique, la French Tech Toulouse,…)

Évaluation globale du module : La réussite du module repose sur la combinaison de présentations orales (pitchs) individuelles ou collectives pour chaque volet, évaluant la clarté, la structuration, la pertinence et l’originalité des projets, et de la production de sites de reporting documentant l’ensemble des projets, analysant les choix méthodologiques, la planification et les résultats.

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- étude en régime statique : polarisation du transistor bipolaire

-  étude et caractérisation des 4 configurations dynamiques des amplificateurs à transistors bipolaires (émetteur commun, émetteur commun dégénéré, collecteur commun, base commune) : schéma équivalent, gains en tension intrinsèque et composite, impédances d'entrée et de sortie, droites de charges statiques et dynamiques, distorsion harmonique.

-   Amplification à 2 étages : compatibilité entre les étages, adaptateur d’impédance, charge active.

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Cet enseignement est une introduction à la conversion statique de l'énergie électrique. Les notions de cellule de commutation et de filtrage sont abordées. Le fonctionnement des convertisseurs continu-continu non isolés est étudié. La mise en oeuvre d'un hacheur dévolteur, à base de transistor MOS, est réalisée dans le cadre d'un bureau d'étude. 

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