Montages amplificateurs transistors

  • Établissement

    INP - ENSEEIHT

Description

- étude en régime statique : polarisation du transistor bipolaire

-  étude et caractérisation des 4 configurations dynamiques des amplificateurs à transistors bipolaires (émetteur commun, émetteur commun dégénéré, collecteur commun, base commune) : schéma équivalent, gains en tension intrinsèque et composite, impédances d'entrée et de sortie, droites de charges statiques et dynamiques, distorsion harmonique.

-   Amplification à 2 étages : compatibilité entre les étages, adaptateur d’impédance, charge active.

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