Établissement
INP - ENSEEIHT
Description
- étude en régime statique : polarisation du transistor bipolaire
- étude et caractérisation des 4 configurations dynamiques des amplificateurs à transistors bipolaires (émetteur commun, émetteur commun dégénéré, collecteur commun, base commune) : schéma équivalent, gains en tension intrinsèque et composite, impédances d'entrée et de sortie, droites de charges statiques et dynamiques, distorsion harmonique.
- Amplification à 2 étages : compatibilité entre les étages, adaptateur d’impédance, charge active.

